报告题目 (Title)：电荷中心与原子轨道位置的失配--原子阻塞绝缘体
报告人 (Speaker)：邵德喜 副教授（杭州师范大学）
报告时间 (Time)：2025年11月18日（周二）9:00-10:30
报告地点 (Place)：宝山校区G601
邀请人(Inviter)：周黎红
主办部门：量子科技研究院/理学院物理系
报告摘要：
近十余年来，拓扑物态的研究在理论与实验层面均取得了显著进展。本报告将从兼容性关系与原子轨道诱导表示出发，系统介绍多种由对称性保护的拓扑绝缘体物态，并重点探讨其中一类特殊拓扑态——原子阻塞绝缘体（OAI）。该物态源于电荷分布中心与原子轨道位置之间的失配，对电子化合物具有重要指示意义。基于第一性原理计算与k·p 哈密顿量分析，我们发现高压相 t-YCl 为 nodal chain 半金属，在考虑自旋轨道耦合后转变为 Dirac 半金属。进一步结合原子轨道诱导表示与电荷局域函数分析，揭示该体系亦为 OAI 所指示的拓扑电子化合物。此外，OAI 与高阶拓扑绝缘体之间存在密切联系，我们的研究表明，高压下的 Ca-I 可实现由单能带诱导的磁性高阶拓扑绝缘体。
